RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ma Yung-Chun

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1619–1624
  2. A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure–Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT)

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  657–659


© МИАН, 2026