RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Ma Yung-Chun
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors
Физика и техника полупроводников
,
46
:12 (2012),
1619–1624
A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure–Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT)
Физика и техника полупроводников
,
45
:5 (2011),
657–659
©
МИАН
, 2026