Кузнецов В П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1435–1439
2. Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1398–1401
3. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
4. Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1153–1158
5. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
6. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648
7. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа
   
   Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1533–1538
8. Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1519–1522
9. Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  413–417
10. Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  402–408