Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb
Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 247–251
-
Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) для детектирования угарного газа
Письма в ЖТФ, 37:11 (2011), 15–19
-
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)
Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 278–284
-
Интерференция излучения дисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
Письма в ЖТФ, 36:13 (2010), 89–95
-
Светодиоды с конусной световыводящей поверхностью, излучающие на длине волны 3.6 $\mu$m
Письма в ЖТФ, 36:3 (2010), 104–110
-
Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO$_2$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m)
Письма в ЖТФ, 36:1 (2010), 105–110
© , 2026