Рудинский Михаил Эдуардович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184
2. Электронные состояния на границах раздела электролит/$n$-GaN и электролит/$n$-InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  775–778
3. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
4. Вольт-фарадные характеристики системы электролит–$n$-InN и электронные состояния на границе раздела
   
   Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1053–1058