Hlil E K

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1157–1164
2. Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  882–889
3. Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1130–1137
4. Особенности проводимости интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного донорной примесью Bi
   
   Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  910–917
5. Особенности механизма “априорного” сильного легирования интерметаллического полупроводника $n$-TiNiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  879–885
6. Особенности интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  310–319