Старостенко Д А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695
2. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP
   
   Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
3. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
   
   Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
4. Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17
5. Интерференция излучения дисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
   
   Письма в ЖТФ, 36:13 (2010),  89–95