Hartmann J M

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  404–409