Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев
ЖТФ, 84:3 (2014), 94–98
-
Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Письма в ЖТФ, 40:14 (2014), 36–46
-
Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1492–1503
-
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1448–1452
-
Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1084–1092
© , 2026