Юцене В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Термостимулированное излучение в диапазоне 3–15 ТГц на частотах плазмон-фононов в полярных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1597–1601
2. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  348–352
3. Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1214–1218
4. Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As/Al$_x$In$_{1-x}$As и In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/Al$_x$Ga$_{1-x}$As в сильных электрических полях
   
   Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  778–782
5. Транспорт электронов в квантовой яме In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As с $\delta$-легированным Si барьером в сильных электрических полях
   
   Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  928–933