RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Werner Peter

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка–квантовая яма

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1209–1216
  2. Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния

    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  36–43
  3. Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1599–1603
  4. Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1462–1466
  5. Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1356–1360
  6. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625
  7. Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1566–1570
  8. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
  9. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452
  10. Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445
  11. Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1084–1092


© МИАН, 2026