|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка–квантовая яма
Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1209–1216
-
Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния
Письма в ЖТФ, 40:13 (2014), 36–43
-
Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si
Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1599–1603
-
Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1462–1466
-
Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs
Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1356–1360
-
Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs
Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 621–625
-
Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1566–1570
-
Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1492–1503
-
Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1448–1452
-
Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 441–445
-
Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1084–1092
© , 2026