RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Хлудков С С
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Физика и техника полупроводников
,
47
:10 (2013),
1391–1395
Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии
Физика и техника полупроводников
,
44
:8 (2010),
1009–1011
Механизм высокоскоростного переключения в арсенид-галлиевых структурах с глубокими центрами
Физика и техника полупроводников
,
26
:2 (1992),
386–390
©
МИАН
, 2026