RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кудрик Ярослав Ярославович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к $n^+$-Si

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  509–513
  2. Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки

    ЖТФ, 83:3 (2013),  113–117
  3. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
  4. К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431
  5. Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$$n^+$$n^{++}$-GaAs(InP)

    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  558–561
  6. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
  7. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  344–347
  8. Влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность светодиодов InAsSb/InAs

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  14–20
  9. Влияние перегрева $p$$n$-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  256–262
  10. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1607–1614
  11. Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$$n$$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  775–781


© МИАН, 2026