RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Шустов Денис Борисович
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Оптические и электрические свойства 4
H
-SiC, облученного ионами Xe
Физика и техника полупроводников
,
48
:2 (2014),
167–174
Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3
C
-Si
H
/6H-SiC
Физика и техника полупроводников
,
47
:11 (2013),
1554–1558
Сравнительное исследование слоев 3
C
-SiC, выращенных на подложке 6
H
-SiC, методом сублимации
Физика и техника полупроводников
,
47
:9 (2013),
1279–1282
©
МИАН
, 2026