|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1123–1131
-
Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD
Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 23–31
-
Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 739–750
-
Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$
Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011), 1489–1497
-
Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 488–499
-
Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1140–1146
-
Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)
Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 194–199
-
Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si
Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2046–2049
© , 2026