Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда
Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1043–1049
-
Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$
Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011), 1489–1497
-
Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 488–499
-
Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$
Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2054–2057
-
Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si
Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2046–2049
© , 2026