|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структурные трансформации в гомо- и гетерогенных системах на основе GaAs, обусловленные СВЧ-облучением
ЖТФ, 85:3 (2015), 114–118
-
Влияние СВЧ-обработок на люминесцентные свойства монокристаллов CdS и CdTe : Cl
Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 916–919
-
Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
ЖТФ, 83:3 (2013), 113–117
-
Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 833–844
-
Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)
Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 558–561
-
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 348–355
-
Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe : Cl
Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1175–1181
-
Влияние перегрева $p$–$n$-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011), 256–262
-
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co
Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010), 1607–1614
-
Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 775–781
-
Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых $\gamma$-облучению $^{60}$Co
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 467–475
© , 2026