Кудринский З Р

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные характеристики и магнитные свойства монокристаллов A$_2^5$B$_3^6$, интеркалированных кобальтом
   
   ЖТФ, 85:11 (2015),  86–90
2. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  612–616
3. Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni–C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe
   
   Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2050–2061
4. Структура и магнитные свойства слоистых кристаллов InSe, интеркалированных кобальтом
   
   ЖТФ, 84:10 (2014),  44–47
5. Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы $n$-ZnSe/$p$-InSe и $n$-ZnSe/$p$-GaSe
   
   ЖТФ, 84:8 (2014),  102–105
6. Анизотропия спектров фотоотклика гетеропереходов на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe
   
   ЖТФ, 84:3 (2014),  99–102
7. Коэффициент фотоплеохроизма и его температурная динамика в гетеропереходах собственный оксид-$p$-InSe
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  797–800
8. Влияние температурного отжига на качество слоистых монокристаллов InSe и характеристики гетеропереходов $n$-InSe–$p$-InSe
   
   Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  564–569
9. Магнитные свойства и морфология поверхности слоев кристаллов In$_2$Se$_3$, интеркалированных кобальтом
   
   Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1063–1070
10. Чувствительные элементы преобразователей давления на основе слоистых интеркалированных кристаллов InSe, GaSe и Bi$_2$Te$_3$
    
    ЖТФ, 83:12 (2013),  137–140
11. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO–$p$-InSe
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  935–938
12. Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках In$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  320–323
13. Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n$-Ga$_2$O$_3$/$p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  356–368
14. Морфология наноструктур, сформированных на ван-дер-ваальсовой поверхности слоистых кристаллов GaSe, отожженных в парах серы
    
    Физика твердого тела, 53:10 (2011),  2045–2050