Капитанчук Л М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482
2. Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1344–1347
3. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
4. К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431
5. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
6. Влияние перегрева $p$–$n$-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  256–262
7. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co
   
   Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1607–1614