Новиков Вадим Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование поверхностного потенциала в области $V$-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  319–322
2. Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO$_2$–Si
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  989–994
3. Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  898–901
4. Свойства пленок TiO$_2$ на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  759–762
5. Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1137–1143
6. Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  598–603
7. Влияние структуры поверхности на величину среднего перепада высот при исследованиях методами атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 39:7 (2013),  66–72
8. Влияние добавок Pt, Pd, Au на поверхности и в объеме тонких пленок диоксида олова на электрические и газочувствительные свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  820–828
9. Анодные пленки Ga$_2$O$_3$. Влияние термического отжига на свойства пленок
   
   Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  278–284
10. Анодные пленки Ga$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1130–1135
11. Влияние периферии контактов металл–полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  70–86
12. Влияние кислородной плазмы на свойства пленок оксида тантала
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1266–1273
13. Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1009–1011
14. Влияние золота на свойства сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  383–389
15. Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  95–101