|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Формирование наноструктур, стимулированное поверхностными акустическими волнами при наносекундном лазерном облучении CdTe
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 236–240
-
Эффект структурирования гетероэпитаксиальных систем CdHgTe/CdZnTe при облучении ионами серебра
Физика твердого тела, 56:11 (2014), 2091–2096
-
Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni–C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe
Физика твердого тела, 56:10 (2014), 2050–2061
-
Структура и магнитные свойства слоистых кристаллов InSe, интеркалированных кобальтом
ЖТФ, 84:10 (2014), 44–47
-
Исследование структуры, эмиссионных и пьезоэлектрических свойств пленок ZnS, ZnS–ZnO и ZnO, полученных химическим методом
ЖТФ, 84:1 (2014), 94–103
-
Характеризация пористого карбида кремния по спектрам поглощения и фотолюминесценции
Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1055–1058
-
Магнитные свойства и морфология поверхности слоев кристаллов In$_2$Se$_3$, интеркалированных кобальтом
Физика твердого тела, 55:6 (2013), 1063–1070
-
Влияние внешних воздействий на самоорганизацию наноструктур теллуридов свинца и олова на поверхности (111) BaF$_2$ в условиях, близких к термодинамическому равновесию
Физика твердого тела, 55:1 (2013), 163–176
-
Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO$_2$ в процессе быстрого термического отжига
Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1244–1247
-
Эффект фототравления в тонких слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников
Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 520–524
-
Морфология поверхности и электрические свойства гибридных структур, сформированных на основе слоистого полупроводника с наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями Au/Ni/$\langle$C$\rangle$/$n$-Ga$_2$O$_3$/$p$-GaSe$\langle$KNO$_3\rangle$
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 356–368
-
Морфология наноструктур, сформированных на ван-дер-ваальсовой поверхности слоистых кристаллов GaSe, отожженных в парах серы
Физика твердого тела, 53:10 (2011), 2045–2050
-
Свойства низкорефрактивных пленок, полученных по методу близкого переноса при сублимации графита в квазизамкнутом объеме
ЖТФ, 81:11 (2011), 125–129
-
Erratum to: "Electronic States on Silicon Surface after Deposition and Annealing of SiO$_x$ Films"
Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 856
-
Электронные состояния на поверхности кремния после напыления и отжига пленки SiO$_x$
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 596–601
-
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co
Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010), 1607–1614
-
Оптические свойства тонких пленок GaSe/$n$-Si(111)
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1046–1049
-
Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnO–Ag
Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 713–718
-
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)–(слоистый полупроводник) Ni/$p$-GaSe
Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 180–193
© , 2026