|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs
Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 942–950
-
Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 204–213
-
Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой
In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP
Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 927–934
-
Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 500–506
-
Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 666–671
© , 2026