Рожавская Мария Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
   
   Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
2. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана
   
   Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  17–23
3. Синтез светодиодной структуры на гранях $(11\bar20)$ и $(0001)$ мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  37–42
4. Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  414–419
5. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
6. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
7. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
8. Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах
   
   Письма в ЖТФ, 37:15 (2011),  95–102