Серебренникова Ольга Юрьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726
2. Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  951–955
3. Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378
4. Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами
   
   Письма в ЖТФ, 41:16 (2015),  77–83
5. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1693–1696
6. Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1434–1438
7. Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115
8. Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  821–824
9. Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
   
   Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45
10. Исследование квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, при температурах выше комнатной
    
    Письма в ЖТФ, 38:14 (2012),  27–31
11. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
12. Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  7–13
13. Анизотропная поляризация излучения в квантово-размерных лазерах, работающих на модах шепчущей галереи
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  4–9
14. Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  677–681
15. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
16. Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17
17. Об “избыточных” токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  680–683
18. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  278–284
19. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49
20. Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO$_2$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m)
    
    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  105–110