Богданова Елена Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
2. Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1198–1201
3. Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  550–556
4. О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC
   
   Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67
5. Эффект дальнодействия в 6H-SiC при облучении ионами Хе
   
   Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  47–53
6. Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1033–1036
7. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного ионами Xe
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  167–174
8. Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  90–94
9. Компенсация проводимости $p$-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
   
   Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1188–1190
10. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
11. О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  71–77
12. Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок $n$-3C-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  32–37