Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса
Письма в ЖТФ, 41:5 (2015), 9–17
-
Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1304–1308
-
Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
Письма в ЖТФ, 38:6 (2012), 22–28
-
Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 352–357
-
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 126–129
© , 2026