|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен
Физика твердого тела, 64:12 (2022), 2055–2060
-
Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si
Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 11–14
-
Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
Физика твердого тела, 60:3 (2018), 499–504
-
Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 125–126
-
Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
Физика твердого тела, 59:2 (2017), 385–388
-
Влияние температуры на ромбическую форму молекулярных кристаллов парацетамола
ЖТФ, 87:4 (2017), 624–626
-
Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии
Физика твердого тела, 58:3 (2016), 612–615
-
Формирование нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 420–422
-
Фазовые превращения при формировании кристаллов парацетамола из паровой фазы
ЖТФ, 84:7 (2014), 156–158
-
Фазовый переход пар–кристалл при синтезе пленок парацетамола методом вакуумного испарения и конденсации
ЖТФ, 84:3 (2014), 141–143
-
Влияние природы конденсируемого вещества на формирование популяции островков при криохимическом синтезе из паровой фазы
Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 15–17
-
О механизме начальной стадии образования наноструктур в условиях сверхнизких температур
Наносистемы: физика, химия, математика, 3:5 (2012), 103–110
-
Зарождение островков теллурида кадмия при синтезе из паровой фазы на охлажденной подложке
Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1348–1352
-
Влияние метода синтеза на свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях
Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 978–980
© , 2026