Титова Анастасия Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  719–724
2. Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на $n^+$-Si(001)-подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  839–843