|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Гетеропереходы собственный окисел $p$-GaSb(Ox)/$n$-GaSb: безвакуумный процесс и фотоэлектрические свойства
Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 471–474
-
Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/$p$-InAs
Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1293–1296
-
Фоточувствительные гетеропереходы Ox/GaAs: создание и свойства
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 802–804
-
Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/$n$-GaP
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 798–801
-
Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках
Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 231–234
-
Выращивание монокристаллов CdP$_2$ тетрагональной модификации и свойства барьеров на их основе
ЖТФ, 80:4 (2010), 84–88
-
Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур $p$-CuInSe$_{2}{-}n$-CdS
Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1861–1865
-
Оптические гетероконтакты на основе пленок CuInSe$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 558–562
-
Получение и свойства изотипных гетероструктур на основе $n$-CuInSe$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 556–558
-
Усиление фотоплеохроизма в структурах $n{-}p$-CdSiAs$_{2}{-}n$-In$_{2}$O$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 506–509
© , 2026