Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
Письма в ЖТФ, 52:6 (2026), 18–21
-
Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации
Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 294–297
-
Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку
Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 11–14
-
Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции
Письма в ЖТФ, 51:3 (2025), 13–16
-
Взаимодействие карбида кремния с расплавом кремния, образующимся в условиях прямого сращивания эпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с пластинами 6H-SiC
Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 501–504
-
Моделирование распределения температуры в зоне сублимационного роста графена на SiC подложке
ЖТФ, 92:12 (2022), 1776–1780
© , 2026