Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов
Письма в ЖТФ, 50:14 (2024), 48–50
-
Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами
Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 21–28
-
Двухканальная гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для мощных полевых транзисторов
Письма в ЖТФ, 49:14 (2023), 28–30
-
Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами
Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 11–14
-
Нелокальная динамика электронов в AlGaN/GaN-транзисторных гетероструктурах
Письма в ЖТФ, 48:2 (2022), 44–46
© , 2026