Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1469–1472
-
Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках
Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 138–141
-
Применение низкобарьерных структур металл–полупроводник–металл для детектирования микроволновых сигналов
ЖТФ, 84:7 (2014), 91–95
-
Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев
ЖТФ, 84:3 (2014), 94–98
-
Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов
Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1580–1585
© , 2026