RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Рогило Дмитрий Игоревич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Контроль формирования слоев графена на подложках 6
H
-SiC(0001) методом
in situ
дифракции быстрых электронов на отражение
Физика и техника полупроводников
,
59
:2 (2025),
102–108
Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi
$_2$
Se
$_3$
(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции
Физика и техника полупроводников
,
58
:11 (2024),
606–611
Фазовый переход
$\beta\Longleftrightarrow\beta'$
с температурным гистерезисом в пленках In
$_2$
Se
$_3$
Физика и техника полупроводников
,
58
:7 (2024),
370–375
©
МИАН
, 2026