|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Мегаприборы кремниевой микроэлектроники
Физика твердого тела, 67:1 (2025), 3–13
-
Собирание заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температуре 40 мК
Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 179–186
-
Дрейфовый перенос носителей заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температурах $\le$100 мK
Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 415–423
-
Физическое обоснование предела временно́го разрешения кремниевых планарных детекторов длиннопробежных тяжелых ионов
Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 333–340
-
Analysis of $I$–$V$ characteristics of Si diodes irradiated with short-range ions
Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022), 1093
-
Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений
Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 971–978
-
Распределение потенциала в охранных структурах с плавающими кольцевыми $p$–$n$-переходами кремниевых детекторов излучений
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 547–553
© , 2026