Жидяев Кирилл Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  48–52
2. Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  709–713
3. Исследование влияния топологии полосковой мезаструктуры на основные параметры низковольтного GaAs-тиристора
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  156–160
4. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
5. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  134–138