Гришин А Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
2. Исследование влияния формы маски на пространственное распределение скорости роста слоев GaAs, полученных методом МОС-гидридной селективной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  452–457
3. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
4. Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  7–10
5. Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  42–48
6. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
7. Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  693–699
8. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
9. Люминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  663–673