Пашковский Андрей Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дно размерной подзоны в сверхрешеткe с сильно связанными мелкими квантовыми ямами
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  22–25
2. Оценка влияния параллельного границе гетероперехода импульса электронов на высоту дна первой подзоны в транзисторных сверхрешетках с тонкими высокими барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  22–24
3. Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 50:14 (2024),  48–50
4. Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  21–28
5. Двухканальная гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для мощных полевых транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  28–30
6. GaN-полевой транзистор с эффективным теплоотводом на Si-подложке
   
   Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  10–13
7. Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  20–23
8. Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами
   
   Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  11–14
9. Нелокальная динамика электронов в AlGaN/GaN-транзисторных гетероструктурах
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  44–46
10. Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами
    
    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54
11. Поверхностный тепловой интерфейс для мощных арсенид-галлиевых гетероструктурных полевых транзисторов
    
    ЖТФ, 89:2 (2019),  252–257
12. Локализация электронов верхних долин в узкозонном канале – возможный дополнительный механизм увеличения тока в DA-DpHEMT
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  11–14
13. Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  103–110
14. Особенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  623–631
15. Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  453–460
16. Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
    
    Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  42–51
17. Высокая эффективность двухчастотной лазерной генерации в трехбарьерных наноструктурах с баллистическим транспортом электронов
    
    Письма в ЖТФ, 42:18 (2016),  88–94
18. Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
    
    Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47
19. Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры
    
    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  81–87
20. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  684–692
21. Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  84–89
22. Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011),  620–624
23. Резонансное прохождение электронов через трехбарьерные структуры в двухчастотном электрическом поле
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  759–764
24. Двухчастотная лазерная генерация в трехбарьерных гетероструктурах с когерентным транспортом электронов
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  17–23
25. Высокая прозрачность двухфотонного канала рассеяния в трехбарьерных структурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 89:1 (2009),  32–37
26. Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 82:4 (2005),  228–233
27. Высокая интенсивность межзонных электронных переходов в двухбарьерных структурах с высокочастотным электрическим полем
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002),  92–95
28. Влияние виртуальных переходов в высокочастотном поле на электронный транспорт в трехбарьерных структурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:11 (2001),  698–701
29. Границы применимости двухуровневых моделей резонансного взаимодействия электронов с переменным электрическим полем в двухбарьерных структурах
    
    ТМФ, 120:2 (1999),  332–341
30. Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1574–1579