Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Fabrication and characterization of P3HT – based OFETs with TPU – polymeric gate dielectric prepared by electrospinning method with different thicknesses
Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 719
-
Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe$_{2}$
Физика твердого тела, 59:3 (2017), 447–452
-
Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS$_{2}$ : La
Физика твердого тела, 58:4 (2016), 696–701
-
Пироэлектрические свойства и дефекты структуры слоистого кристалла TlInS$_2$, легированного лантаном
Физика твердого тела, 56:10 (2014), 1964–1969
-
Фотоэлектрическая активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS$_2$ : La
Физика твердого тела, 56:8 (2014), 1554–1558
© , 2026