|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1325–1332
-
Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах
Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1258–1261
-
Оптически-детектируемый циклотронный резонанс в сильно легированных бором кремниевых наноструктурах на поверхности кремния (100)
Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1646–1653
-
Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1530–1535
-
Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)
Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1204–1209
-
Инфракрасное излучение из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором (Обзор)
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 289–303
-
Установка для измерения спектров излучения широкозонных полупроводниковых материалов
ЖТФ, 81:9 (2011), 77–81
-
Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 445–451
-
Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в структурах на основе III-нитридов, легированных редкоземельными элементами (Eu, Er, Sm)
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 338–345
© , 2026