|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Формирование низкорезистивного Cu$_{3}$Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода
Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1258–1262
-
Гетеропереходные низкобарьерные GаAs-диоды с улучшенной обратной вольт-амперной характеристикой
Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1123–1127
-
Формирование омических контактов Ta/Ti/Al/Mo/Au к гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на кремниевой подложке
Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 402–406
-
Влияние термообработки на параметры контактов металл–полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности $n$-GaAs
Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1191–1196
-
Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности $n$–$i$-GaAs на параметры омических контактов
Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1056–1061
-
Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения
Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 433–439
© , 2026