RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Приходько Олег Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$

    Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  443–447
  2. Термическая стабильность поверхностного плазмонного резонансного поглощения в нанокомпозитных пленках $a$-С:Н$\langle$Ag+TiО$_{2}\rangle$

    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  758–762
  3. Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  958–962
  4. Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As$_2$Se$_3$:Bi, полученных двумя различными методами

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1319–1321


© МИАН, 2026