RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Приходько Олег Юрьевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge
$_2$
Sb
$_2$
Te
$_5$
Физика и техника полупроводников
,
58
:8 (2024),
443–447
Термическая стабильность поверхностного плазмонного резонансного поглощения в нанокомпозитных пленках
$a$
-С:Н
$\langle$
Ag+TiО
$_{2}\rangle$
Оптика и спектроскопия
,
125
:6 (2018),
758–762
Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te
Физика и техника полупроводников
,
50
:7 (2016),
958–962
Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As
$_2$
Se
$_3$
:Bi, полученных двумя различными методами
Физика и техника полупроводников
,
46
:10 (2012),
1319–1321
©
МИАН
, 2026