Лунин Роман Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние легирования таллием на подвижности электронов в Bi$_{2}$Se$_{3}$ и дырок в Sb$_{2}$Te$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  886–892
2. Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  942–950
3. Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  204–213
4. Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  927–934
5. Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1373–1378