Петухов Андрей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800
2. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
3. Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1270–1275
4. Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C
   
   ЖТФ, 82:1 (2012),  73–76
5. Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах
   
   ЖТФ, 81:4 (2011),  91–96
6. Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона ($\lambda_{\mathrm{max}}\approx$ 3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1560–1563
7. Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) для детектирования угарного газа
   
   Письма в ЖТФ, 37:11 (2011),  15–19