Свешников Юрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338
2. Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1344–1347
3. Контакты Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям GaAs для детекторов частиц и квантов
   
   Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1088–1093
4. Исследование методом электроотражения влияния $\gamma$-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  317–320
5. Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  775–781
6. Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых $\gamma$-облучению $^{60}$Co
   
   Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  467–475