RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Безрядин Николай Николаевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In
$_{2x}$
Ga
$_{2(1-x)}$
Te
$_{3}$
/InAs и In
$_{2}$
Te
$_{3}$
/InAs
Физика и техника полупроводников
,
50
:3 (2016),
313–317
Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена
Письма в ЖТФ
,
40
:3 (2014),
20–26
Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний
$n$
-GaAs(100)
Физика и техника полупроводников
,
46
:6 (2012),
756–760
©
МИАН
, 2026