Sledziewski Tomasz

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  103–105
2. Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1621–1625