Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами
Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 343–348
-
Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te
Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 337–342
-
Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями
Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 16–22
-
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 551–554
-
Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1557–1564
© , 2026