|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1538–1542
-
Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1151
-
Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598
-
Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с $\delta$-легированными слоями
Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1507–1515
-
Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1481–1485
-
Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1384–1387
-
Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями
Письма в ЖТФ, 37:17 (2011), 75–81
© , 2026