Пархоменко Яна Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Геометрия квантовых точек InSb, выращенных на поверхности матричного слоя In(As,Sb)
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1426–1431
2. Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37
3. Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  645–651
4. Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  89–94
5. Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1146–1150
6. Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  993–996
7. Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1536–1541