Шахов Л В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
2. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
3. Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме
   
   Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  89–94