Тихомиров Владимир Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние поверхностных ловушек на статические характеристики и разброс тока насыщения канала GaN HEMT-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  43–46
2. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
3. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
4. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1405–1409
5. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839